Принцип действия электретного конденсаторного микрофона основан на способности некоторых диэлектрических
материалов (электретов) сохранять поверхностную неоднородность распределения заряда в течении длительного
времени. Существуют гомо- и гетероэлектреты. У гомоэлектретов поверхностный заряд лишь одного знака (получают,
например, облучением диэлектрика, как правило полимерной пленки, пучком элкетронов). Гетероэлектреты получают
при нагреве диэлектрика, как правило полимера из полярных молукул, выше точки стеклования в сильно электрическом
поле. При этом полярные молекулы поворачиваются вдоль электрического поля, а при охлаждении молекулы "застывают"
и их ориентация вдоль поля сохраняется. После охлаждения электрическое поле можно отключить. Тонкая пленка из
гомоэлектрета помещается в зазор обычного конденсаторного микрофона (микрофона, у которого одна из обкладок
имеет возможность перемещаться под действием внешнего акустического сигнала), либо наносится на одну из обкладок.
Это приводит к появлению некоторого постоянного заряда конденсатора, а при изменении емкости вследствии смещения
обкладки под действием акустических колебаний, на обкладках конденсатора появляется переменное напряжение,
соответствующее акустическому сигналу. В отличие от динамических микрофонов, имеющих относительно низкое
сопротивление катушки (несколько кОм), электретный микрофон имеет очень высокое сопротивление (несколько сотен
кОм или МОм), что вынуждает подключать их к усилителям с высоким входным сопротивлением. Впрочем, это относится
только к непосредственно электретному датчику. В состав собственно микрофона, как правило входит кроме датчика
ещё и преобразователь сопротивления, выполненный на полевом транзисторе, что и обеспечивает приемлемое выходное
сопротивление - единицы кОм. Однако, следует иметь в виду, что для работы полевому транзистору требуется внешний
источник питающего напряжения. Микрофоны на основе гетероэлектретов устроены несколько иначе. При деформации
пленки из гетероэлектрета на поверхности пленки возникает изменение заряда. Причем знак заряда одной поверхности
пленки отличается от знака заряда на противоположной поверхности пленки. Чтобы зарегистрировать измение заряда
от деформации электретной пленки под воздействием аккустических колебаний воздуха необходимо расположить электроды
на поверхности пленки. Электроды выполняют, как правило, путем напыления тонкого слоя металла (аллюминий, золото,
серебро и т.п.) на поверхность гетероэлектретной пленки. С этих электродов и снимается переменное напряжение
(сигнал) генерируемое при работе микрофона. Из-за высокого сопротивления (такого типа микрофона) необходимо
согласовать его импеданс с входным сопротивлением усилительного каскада.
например, облучением диэлектрика, как правило полимерной пленки, пучком элкетронов). Гетероэлектреты получают
при нагреве диэлектрика, как правило полимера из полярных молукул, выше точки стеклования в сильно электрическом
поле. При этом полярные молекулы поворачиваются вдоль электрического поля, а при охлаждении молекулы "застывают"
и их ориентация вдоль поля сохраняется. После охлаждения электрическое поле можно отключить. Тонкая пленка из
гомоэлектрета помещается в зазор обычного конденсаторного микрофона (микрофона, у которого одна из обкладок
имеет возможность перемещаться под действием внешнего акустического сигнала), либо наносится на одну из обкладок.
Это приводит к появлению некоторого постоянного заряда конденсатора, а при изменении емкости вследствии смещения
обкладки под действием акустических колебаний, на обкладках конденсатора появляется переменное напряжение,
соответствующее акустическому сигналу. В отличие от динамических микрофонов, имеющих относительно низкое
сопротивление катушки (несколько кОм), электретный микрофон имеет очень высокое сопротивление (несколько сотен
кОм или МОм), что вынуждает подключать их к усилителям с высоким входным сопротивлением. Впрочем, это относится
только к непосредственно электретному датчику. В состав собственно микрофона, как правило входит кроме датчика
ещё и преобразователь сопротивления, выполненный на полевом транзисторе, что и обеспечивает приемлемое выходное
сопротивление - единицы кОм. Однако, следует иметь в виду, что для работы полевому транзистору требуется внешний
источник питающего напряжения. Микрофоны на основе гетероэлектретов устроены несколько иначе. При деформации
пленки из гетероэлектрета на поверхности пленки возникает изменение заряда. Причем знак заряда одной поверхности
пленки отличается от знака заряда на противоположной поверхности пленки. Чтобы зарегистрировать измение заряда
от деформации электретной пленки под воздействием аккустических колебаний воздуха необходимо расположить электроды
на поверхности пленки. Электроды выполняют, как правило, путем напыления тонкого слоя металла (аллюминий, золото,
серебро и т.п.) на поверхность гетероэлектретной пленки. С этих электродов и снимается переменное напряжение
(сигнал) генерируемое при работе микрофона. Из-за высокого сопротивления (такого типа микрофона) необходимо
согласовать его импеданс с входным сопротивлением усилительного каскада.
